HST Übungen

57 flashcardsby StefHart
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1
Was kennzeichnet eine gute Spannungsquelle?
Der Innenwiderstand Ri soll möglichst groß sein
2
Vorteil Differenzielles Signal
3
Teleskopischer Verstärker: Skizze+Vor-/Nachteile
+ hohe Verstärkung
+ kein zusätzlicher Strom
– Aussteuerbereich am Ausgang klein
– Ausgang und Eingang nur begrenzt zu verbinden (Folger)
4
Symmetrischer Verstärker: Skizze+Vor-/Nachteile
+ großer Aussteuerbereich am Ausgang
– zusätzlicher Strom
– DC-Verstärkung gering--> aber: durch Ergänzung von Kaskoden
-->80dB erreichbar (schränkt Aussteuerbereich ein)
5
zweistufiger Miller OTA: Skizze+Vor-/Nachteile
+ Hohe Verstärkung bei weitem Aussteuerbereich am Ausgang,
- Frequenzkompensation --> Ausnutzung Miller-Effekt
6
$Formel\: U_{ovd}$
$U_{ovd}= \sqrt{\frac{2*I_{D}}{\beta}}$
7
$Formel\: r_{ds}$
$r_{ds}=\frac{1}{\lambda*I_{D}}$
8
Differenzenverstärker: Gleichtakt-Aussteuerung
Eingangssignale sind gleich groß
9
Differenzenverstärker: Differenzenaussteuerung
Eingangssignale unterscheiden sich im Vorzeichen
10
$Formel\: für \: U_{ovd}$
$U_{ovd}=U_{GS}-U_{th}$
11
typischer Wert Ladungsträgerbeweglichkeit N-MOS/P-MOS
$\frac{µ0_{N-MOS}}{µ0_{P-MOS}}=2,4$
12
typischer Wert U_ce
0,7 V
13
typischer Wert Einzelversorgung
5 V
14
typischer Wert Symmetrische Versorgung
$\pm 15 V$
15
typischer Wert U_ovd
0,2 V
16
typischer Wert U_th
0,8 V
17
typischer Wert Verstärkung A_0
100 = 40dB
18
typischer Wert g_m
$g_{m}=100\frac{µA}{V}$
19
typischer Wert r_ds
1MΩ
20
typischer Wert $I_{D}$
10 µA
21
typischer Wert intrinsische Verstärkung Biopolartransistor
2000-8000
22
typischer Wert intrinsische Verstärkung MOS g_m*r_ds
100
23
Drainstrom Saturationbereich
Bei P-Mos wird aus U_gs U_sg
24
Drainstrom Triodenbereich
Bei P-Mos wird aus U_gs U_sg
25
Kleinsignalersatzschaltbild N-Mos
26
Kleinsignalanalyse: Vorgehen
27
Kleinsignalersatzschaltbild P-Mos
28
Auf welchem Potential sitz der Bulk Anschluss beim PMOS Transistor?
29
Formel: Transkonduktanzparameter β
30
Formel: Oxid Kapazität C_oxt
31
Übertragungskennlinie MOSFET
32
Ausgangskennlinie MOSFET
33
Kanallängenmodulation
34
Kanallängenmodulation Faktor λ
35
Auf welchem Potential sitz der Bulk Anschluss beim NMOS Transistor?
36
Sourceschaltung Schaltbild
37
Drainschaltung Schaltbild
38
Gateschaltung Schaltbild
39
Aktive Last: Transistor als Stromquelle
40
Kaskodenschaltung
41
Aktive Last: Transistor in Diodenschaltung
42
Wofür wird eine Gateschaltung verwendet?
Die Gateschaltung ist sehr schnell. Mit ihr werden hochfrequente Signale verstärkt.
43
Wofür wird eine Sourceschaltung verwendet?
Ein Transistor in Sourceschaltung wird häufig als Stromquelle verwendet. Durch eine Kaskodeschaltung können die Stromquellen Eigenschaften noch verbessert werden, da der Eingangswiderstand höher ist.
44
Skizze der Übertragungsfunktion eines Transistors mit Nennung der drei Arbeitsbereiche
45
Skizze eines N-Mos Differenzenverstärkers
46
Typischer Wert U_Overdrive
U_Overdrive = 200mV =0,2V
47
U/I Diagramm reale Stromquelle
48
Formel Steilheit
49
Aussteuerbereich einer Übertragungsfunktion
50
Differenzenverstärkung: Formel
51
Differenzenverstärkung: Umrechnung Dezibel
52
Differenzenverstärkung: typischer Wert
53
Formel Saturation Bereich
$U_{ds} \geq \ U_{gs}-U_{th}$
54
Warum wird bei analogen Schaltungen der Transistor im Saturation Bereich betrieben?
Hohe Steilheit g_m und damit hohe Verstärkung
Steilheit soll unabhängig von U_ds sein
--> Im Saturationbereich ist g_m hoch und konstant
55
Wie funktioniert eine Diodenschaltung eines Transistors?
Bei der Diodenschaltung werden Drain und Gate auf ein Potential gelegt. Dadurch wirkt der Transistor wie eine Diode.
56
Schaltsymbol P-Mos
57
Schaltsymbol N-Mos
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