1 Was kennzeichnet eine gute Spannungsquelle?
Der Innenwiderstand Ri soll möglichst groß sein
2Vorteil Differenzielles Signal
3Teleskopischer Verstärker: Skizze+Vor-/Nachteile
+ hohe Verstärkung
+ kein zusätzlicher Strom
– Aussteuerbereich am Ausgang klein
– Ausgang und Eingang nur begrenzt zu verbinden (Folger)

4Symmetrischer Verstärker: Skizze+Vor-/Nachteile
+ großer Aussteuerbereich am Ausgang
– zusätzlicher Strom
– DC-Verstärkung gering--> aber: durch Ergänzung von Kaskoden
-->80dB erreichbar (schränkt Aussteuerbereich ein)

5zweistufiger Miller OTA: Skizze+Vor-/Nachteile
+ Hohe Verstärkung bei weitem Aussteuerbereich am Ausgang,
- Frequenzkompensation --> Ausnutzung Miller-Effekt

6$Formel\: U_{ovd}$
$U_{ovd}= \sqrt{\frac{2*I_{D}}{\beta}}$
7$Formel\: r_{ds}$
$r_{ds}=\frac{1}{\lambda*I_{D}}$
8Differenzenverstärker: Gleichtakt-Aussteuerung
Eingangssignale sind gleich groß
9Differenzenverstärker: Differenzenaussteuerung
Eingangssignale unterscheiden sich im Vorzeichen
10$Formel\: für \: U_{ovd}$
$U_{ovd}=U_{GS}-U_{th}$
11typischer Wert Ladungsträgerbeweglichkeit N-MOS/P-MOS
$\frac{µ0_{N-MOS}}{µ0_{P-MOS}}=2,4$
12typischer Wert U_ce
0,7 V
13typischer Wert Einzelversorgung
5 V
14typischer Wert Symmetrische Versorgung
$\pm 15 V$
15typischer Wert U_ovd
0,2 V
16typischer Wert U_th
0,8 V
17typischer Wert Verstärkung A_0
100 = 40dB
18typischer Wert g_m
$g_{m}=100\frac{µA}{V}$
20typischer Wert $I_{D}$
10 µA
21typischer Wert intrinsische Verstärkung Biopolartransistor
2000-8000
22typischer Wert intrinsische Verstärkung MOS g_m*r_ds
100
23Drainstrom Saturationbereich
Bei P-Mos wird aus U_gs U_sg

24Drainstrom Triodenbereich
Bei P-Mos wird aus U_gs U_sg

25Kleinsignalersatzschaltbild N-Mos
26Kleinsignalanalyse: Vorgehen
27Kleinsignalersatzschaltbild P-Mos
28Auf welchem Potential sitz der Bulk Anschluss beim PMOS Transistor?
29Formel: Transkonduktanzparameter β
30Formel: Oxid Kapazität C_oxt
31Übertragungskennlinie MOSFET
32Ausgangskennlinie MOSFET
34Kanallängenmodulation Faktor λ
35Auf welchem Potential sitz der Bulk Anschluss beim NMOS Transistor?
36Sourceschaltung Schaltbild
37Drainschaltung Schaltbild
38Gateschaltung Schaltbild
39Aktive Last: Transistor als Stromquelle
41Aktive Last: Transistor in Diodenschaltung
42Wofür wird eine Gateschaltung verwendet?
Die Gateschaltung ist sehr schnell. Mit ihr werden hochfrequente Signale verstärkt.
43Wofür wird eine Sourceschaltung verwendet?
Ein Transistor in Sourceschaltung wird häufig als Stromquelle verwendet. Durch eine Kaskodeschaltung können die Stromquellen Eigenschaften noch verbessert werden, da der Eingangswiderstand höher ist.
44Skizze der Übertragungsfunktion eines Transistors mit Nennung der drei Arbeitsbereiche
45Skizze eines N-Mos Differenzenverstärkers
46Typischer Wert U_Overdrive
U_Overdrive = 200mV =0,2V
47U/I Diagramm reale Stromquelle
49Aussteuerbereich einer Übertragungsfunktion
50Differenzenverstärkung: Formel
51Differenzenverstärkung: Umrechnung Dezibel
52Differenzenverstärkung: typischer Wert
53Formel Saturation Bereich
$U_{ds} \geq \ U_{gs}-U_{th}$
54Warum wird bei analogen Schaltungen der Transistor im Saturation Bereich betrieben?
Hohe Steilheit g_m und damit hohe Verstärkung
Steilheit soll unabhängig von U_ds sein
--> Im Saturationbereich ist g_m hoch und konstant
55Wie funktioniert eine Diodenschaltung eines Transistors?
Bei der Diodenschaltung werden Drain und Gate auf ein Potential gelegt. Dadurch wirkt der Transistor wie eine Diode.
